18501309179
產(chǎn)品分類(lèi)
產(chǎn)品型號(hào)
BX-Y1245B廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時(shí)間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1389產(chǎn)品描述
600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號(hào)
BX-Y1245C廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時(shí)間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1416產(chǎn)品描述
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號(hào)
BX-Y1245D廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時(shí)間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1530產(chǎn)品描述
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號(hào)
BX-Y1245E廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時(shí)間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1467產(chǎn)品描述
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號(hào)
BX-Y1245F廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時(shí)間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1409產(chǎn)品描述
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
當(dāng)前位置：
相關(guān)文章